Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-800 mA
Kollektor-Emitter-
-50 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,095
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 0,095
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,095 | € 9,51 |
500+ | € 0,076 | € 7,59 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-800 mA
Kollektor-Emitter-
-50 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.