Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,03
Each (In a Pack of 250) (bez DPH)
Štandardný
250
€ 0,03
Each (In a Pack of 250) (bez DPH)
Štandardný
250
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
250 - 750 | € 0,03 | € 7,50 |
1000 - 2750 | € 0,02 | € 5,00 |
3000 - 8750 | € 0,01 | € 2,50 |
9000 - 23750 | € 0,01 | € 2,50 |
24000+ | € 0,01 | € 2,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China