Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-4 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
-2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-500µA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
8mm
Höhe
11mm
Breite
3.25mm
Maximální ztrátový výkon
14 W
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
60
P.O.A.
60
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-4 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
-2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-500µA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
8mm
Höhe
11mm
Breite
3.25mm
Maximální ztrátový výkon
14 W
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.