Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
PQFN4
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,67
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1,67
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
PQFN4
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V