Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
57 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,85
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,85
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
57 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku