Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220F
Maximální stejnosměrný propustný proud
20A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
650V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
SiC Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
1.1kA
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220F
Maximální stejnosměrný propustný proud
20A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
650V
Diodová konfigurace
Single
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
SiC Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
1.1kA
Krajina pôvodu
China