IGBT FGH60N60SMD-F085 N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 146-2047Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FGH60N60SMD-F085
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

120 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

600 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Automobilový Fairchild Semiconductor

Řada IGBT se Field Stop Trench od společnosti Fairchild Semiconductor, která byla testována na stres a splňuje standard AEC-Q101.

Charakteristiky

• Pro snadnou paralelní funkci je vhodná účinnost při mírné teplotě
• Vysoce proudová schopnost
• Nízké napětí saturace
• Vysoká vstupní impedance
• Utažení distribuce parametrů

Kódy RS

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A až247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A až247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A až263 (balení po 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A AŽ247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A až247 (balení po 30)

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT FGH60N60SMD-F085 N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT FGH60N60SMD-F085 N-kanálový 120 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

120 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

600 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Automobilový Fairchild Semiconductor

Řada IGBT se Field Stop Trench od společnosti Fairchild Semiconductor, která byla testována na stres a splňuje standard AEC-Q101.

Charakteristiky

• Pro snadnou paralelní funkci je vhodná účinnost při mírné teplotě
• Vysoce proudová schopnost
• Nízké napětí saturace
• Vysoká vstupní impedance
• Utažení distribuce parametrů

Kódy RS

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A až247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A až247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A až263 (balení po 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A AŽ247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A až247 (balení po 30)

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more