Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-150 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-150 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
4 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 60 až 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
5
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-150 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-150 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
4 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 60 až 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.