Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
750 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
130 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,10
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
20
€ 0,10
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
750 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
130 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku