Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
15 W
Minimální proudový zisk DC
10
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
6.73 x 2.38 x 6.22mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
15
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
15
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
15 W
Minimální proudový zisk DC
10
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
6.73 x 2.38 x 6.22mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.