Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,27
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,27
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,27 | € 13,50 |
100 - 950 | € 0,13 | € 6,50 |
1000 - 2950 | € 0,10 | € 5,00 |
3000 - 8950 | € 0,08 | € 4,00 |
9000+ | € 0,07 | € 3,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.