Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
300 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
20000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,026
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,026
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,026 | € 76,56 |
6000+ | € 0,024 | € 71,97 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
300 mA
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23 (TO-236
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
20000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm