Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
300 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
2
Minimální proudový zisk DC
5000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,023
Each (On a Reel of 10000) (bez DPH)
10000
€ 0,023
Each (On a Reel of 10000) (bez DPH)
10000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
300 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
2
Minimální proudový zisk DC
5000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur max.
150 °C