MOSFET NDT2955 P-kanálový 2,5 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.56mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor
Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.
Charakteristiky a výhody:
• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS
Aplikace:
• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,186
Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 0,186
Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.56mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor
Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.
Charakteristiky a výhody:
• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS
Aplikace:
• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products