Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp směru
Uni-Directional
Diodová konfigurace
Single
Maximální svorkové napětí
6.6V
Minimální poruchové napětí
6.4V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
X2DFN
Maximální závěrné přechodné napětí
6.3V
Pinanzahl
2
Maximální špičkový pulzní proud
30A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
0.35mm
Breite
0.65mm
Testovací proud
1mA
Maximální závěrný svodový proud
1µA
Pracovní napětí
6.3V
Napětí ESD
8kV
Kapacitance
110pF
Länge
1.05mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp směru
Uni-Directional
Diodová konfigurace
Single
Maximální svorkové napětí
6.6V
Minimální poruchové napětí
6.4V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
X2DFN
Maximální závěrné přechodné napětí
6.3V
Pinanzahl
2
Maximální špičkový pulzní proud
30A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
0.35mm
Breite
0.65mm
Testovací proud
1mA
Maximální závěrný svodový proud
1µA
Pracovní napětí
6.3V
Napětí ESD
8kV
Kapacitance
110pF
Länge
1.05mm
Krajina pôvodu
China