Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
915 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
0.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,82 nC při 4,5 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,047
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 0,047
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
915 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
0.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,82 nC při 4,5 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku