MOSFET NTE4151PT1G P-kanálový 760 mA 20 V, SOT-523 (SC-89), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
760 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Breite
0.95mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,1 nC při 5 V
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,08
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
760 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Breite
0.95mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,1 nC při 5 V
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products