Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
550 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.25mm
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.55mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,16
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,16
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,16 | € 8,00 |
250+ | € 0,07 | € 3,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
550 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.25mm
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.55mm
Podrobnosti o výrobku