Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
4 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,13
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 0,13
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
4 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3 + Tab
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.