Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.