Technické dokumenty
Špecifikácie
Povrch žárovky
White
Životnost v hodinách
5000h
Průměr
10mm
Objímka žárovky
R7S
Řada
HALOTHERM
Betriebsspannung
235 V
Výkon
500 W
Länge
250,7 mm
Brand
OsramKrajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
SST26WF040B/080B/016B Sériové čtyřkanové I/O (SQI) SuperFlash® Flash paměti
Od společnosti Microchip jsou produkty řady SST26WFxxxB vybaveny pamětí typu Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory zařízeními, která jsou k dispozici ve 4-, 8- a 16-bitových variantách. Tato zařízení podporují úplnou kompatibilitu příkazů s protokolem SPI (Serial Periferer Interface) a umožňují minimální latenci Funkce XIP (Execute-in-Place) bez nutnosti stínu kódu na SRAM. Zařízení SST26WFxxxB vykazují nízkou spotřebu energie, takže jsou vhodná pro přenosné aplikace napájené bateriemi.
Charakteristiky
Rozsah provozního napětí 1,6 až 1,95 V.
Taktovací frekvence 104 MHz max.
Architektura sériového rozhraní
Nízká spotřeba energie: Aktivní čtení proudu: 15 mA (typicky při 104 MHz), pohotovostní proud: 10 μA (typický)
Režimy Burst (Burst): Nepřetržitá lineární dávka, lineární dávka 8/16/32/64 Byte s balicím systémem
Page-Program: 256 bajtů na stránku v režimu x1 nebo x4
Doba rychlého vymazání: Sector/Block Erase 18 ms (typ), 25 ms (max); Chip Erase 35 ms (typ), 50 ms (max.)
Flexibilní možnost mazání
Detekce konce zápisu
Write-Suspendd
Ochrana softwaru
Režim resetování softwaru (RST)
Sériová paměť Flash s rozpoznatelnými parametry (SFDP)
Flash Memory, Microchip
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Povrch žárovky
White
Životnost v hodinách
5000h
Průměr
10mm
Objímka žárovky
R7S
Řada
HALOTHERM
Betriebsspannung
235 V
Výkon
500 W
Länge
250,7 mm
Brand
OsramKrajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
SST26WF040B/080B/016B Sériové čtyřkanové I/O (SQI) SuperFlash® Flash paměti
Od společnosti Microchip jsou produkty řady SST26WFxxxB vybaveny pamětí typu Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory zařízeními, která jsou k dispozici ve 4-, 8- a 16-bitových variantách. Tato zařízení podporují úplnou kompatibilitu příkazů s protokolem SPI (Serial Periferer Interface) a umožňují minimální latenci Funkce XIP (Execute-in-Place) bez nutnosti stínu kódu na SRAM. Zařízení SST26WFxxxB vykazují nízkou spotřebu energie, takže jsou vhodná pro přenosné aplikace napájené bateriemi.
Charakteristiky
Rozsah provozního napětí 1,6 až 1,95 V.
Taktovací frekvence 104 MHz max.
Architektura sériového rozhraní
Nízká spotřeba energie: Aktivní čtení proudu: 15 mA (typicky při 104 MHz), pohotovostní proud: 10 μA (typický)
Režimy Burst (Burst): Nepřetržitá lineární dávka, lineární dávka 8/16/32/64 Byte s balicím systémem
Page-Program: 256 bajtů na stránku v režimu x1 nebo x4
Doba rychlého vymazání: Sector/Block Erase 18 ms (typ), 25 ms (max); Chip Erase 35 ms (typ), 50 ms (max.)
Flexibilní možnost mazání
Detekce konce zápisu
Write-Suspendd
Ochrana softwaru
Režim resetování softwaru (RST)
Sériová paměť Flash s rozpoznatelnými parametry (SFDP)