Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
2 → 6.5mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-55V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SSMini3 F3 B
Pinanzahl
3
Abmessungen
1.6 x 0.85 x 0.7mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.6mm
Höhe
0.7mm
Breite
0.85mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
2 → 6.5mA
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-55V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SSMini3 F3 B
Pinanzahl
3
Abmessungen
1.6 x 0.85 x 0.7mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.6mm
Höhe
0.7mm
Breite
0.85mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.