Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
MTM
Gehäusegröße
Smini3-G1-B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2mm
Breite
1.25mm
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem P-Channel, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
MTM
Gehäusegröße
Smini3-G1-B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2mm
Breite
1.25mm
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku