Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
HSO8-F4-B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 4,5 V
Höhe
0.95mm
Řada
SK
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
PanasonicTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
HSO8-F4-B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
85 °C
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 4,5 V
Höhe
0.95mm
Řada
SK
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku