Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
11 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
3 V
Maximální provozní frekvence
500 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
1.3 x 0.9 x 0.45mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Vysokofrekvenční bipolární tranzistory ROHM
Širokopásmový vysokofrekvenční bipolární můstkový tranzistor od ROHM pro aplikace, jako jsou RF zesilovače a vysokofrekvenční oscilátory.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,05
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,05
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
11 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
3 V
Maximální provozní frekvence
500 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
1.3 x 0.9 x 0.45mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Vysokofrekvenční bipolární tranzistory ROHM
Širokopásmový vysokofrekvenční bipolární můstkový tranzistor od ROHM pro aplikace, jako jsou RF zesilovače a vysokofrekvenční oscilátory.