Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp tranzistoru
NPN
Kollektor-Emitter-
60 V
Gehäusegröße
DIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Konfiguration
Pole 7
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Höhe
3.74mm
Breite
6.5mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
19.4 x 6.5 x 3.74mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
19.4mm
Bázový proud
1.35mA
Podrobnosti o výrobku
Pole tranzistoru Darlinton, ROHM
7 kanálů
Vstupní odpor pro omezení základního proudu
Výstupní napětí, dioda svorky s přepěťovou absorpcí
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp tranzistoru
NPN
Kollektor-Emitter-
60 V
Gehäusegröße
DIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Konfiguration
Pole 7
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Höhe
3.74mm
Breite
6.5mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
19.4 x 6.5 x 3.74mm
Betriebstemperatur max.
85 °C
Länge
19.4mm
Bázový proud
1.35mA
Podrobnosti o výrobku
Pole tranzistoru Darlinton, ROHM
7 kanálů
Vstupní odpor pro omezení základního proudu
Výstupní napětí, dioda svorky s přepěťovou absorpcí