Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Rezistor báze-emitor
10KΩ
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Transistor-Typ
PNP
Pinanzahl
3
Typický vstupní rezistor
4.7 kΩ
Typický odporový poměr
2,1
Montage-Typ
Surface Mount
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální bázové napětí emitoru
50 V
Kollektor-Emitter-
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Gehäusegröße
SOT-23-8
Abmessungen
3.1 x 1.5 x 1.15mm
Brand
ROHMInformácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Rezistor báze-emitor
10KΩ
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Transistor-Typ
PNP
Pinanzahl
3
Typický vstupní rezistor
4.7 kΩ
Typický odporový poměr
2,1
Montage-Typ
Surface Mount
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální bázové napětí emitoru
50 V
Kollektor-Emitter-
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Gehäusegröße
SOT-23-8
Abmessungen
3.1 x 1.5 x 1.15mm
Brand
ROHM