Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMDetekované spektrum
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Typický čas poklesu
10µs
Typický čas náběhu
10µs
Počet kanálů
1
Maximální proud za světla
2000µA
Maximální proud za temna
0.5µA
Úhel poloviční citlivosti
±36°
Polarita
NPN
Počet kolíků
2
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
T-1
Rozměry
3.8 (Dia.) x 5.2mm
Kolektorový proud
30mA
Průměr
3.8mm
Minimální detekovaná vlnová délka
800nm
Spektrální rozsah citlivosti
800 nm
Řada
RPT
Napětí emitoru/kolektoru
5V
Napětí emitoru/kolektoru
32 V
Výška
5.2mm
Nasycené napětí
0.4V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
RPT-34PB3F, Phototranzistor
Vysoká citlivost při 800 nm
IR Phototransistors, ROHM Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMDetekované spektrum
Infrared
Spectrum(s) Detected
Infrared
Typický čas poklesu
10µs
Typický čas náběhu
10µs
Počet kanálů
1
Maximální proud za světla
2000µA
Maximální proud za temna
0.5µA
Úhel poloviční citlivosti
±36°
Polarita
NPN
Počet kolíků
2
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
T-1
Rozměry
3.8 (Dia.) x 5.2mm
Kolektorový proud
30mA
Průměr
3.8mm
Minimální detekovaná vlnová délka
800nm
Spektrální rozsah citlivosti
800 nm
Řada
RPT
Napětí emitoru/kolektoru
5V
Napětí emitoru/kolektoru
32 V
Výška
5.2mm
Nasycené napětí
0.4V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
RPT-34PB3F, Phototranzistor
Vysoká citlivost při 800 nm