Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
45 V
Gehäusegröße
TSMT
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-21 V, +21 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.8mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 15) (bez DPH)
15
P.O.A.
Each (In a Pack of 15) (bez DPH)
15
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
45 V
Gehäusegröße
TSMT
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-21 V, +21 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.8mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku