Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SEMITRANSM1
Montage-Typ
Panel Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
78mm
Breite
42mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
30mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET Semikron
Kompaktní moduly MOSFET Semikron s jedním nebo více zařízeními v různých konfiguracích. Mezi typické aplikace patří spínané napájecí zdroje, stejnosměrné servopohony a nepřerušitelné zdroje napájení
MOSFET Transistors, Semikron
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SEMITRANSM1
Montage-Typ
Panel Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
78mm
Breite
42mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
30mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí moduly MOSFET Semikron
Kompaktní moduly MOSFET Semikron s jedním nebo více zařízeními v různých konfiguracích. Mezi typické aplikace patří spínané napájecí zdroje, stejnosměrné servopohony a nepřerušitelné zdroje napájení