Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemtechTyp směru
Bi-Directional
Diodová konfigurace
Isolated
Maximální svorkové napětí
11V
Minimální poruchové napětí
6V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Maximální závěrné přechodné napětí
5V
Počet kolíků
8
Špičkový pulzní ztrátový výkon
300W
Maximální špičkový pulzní proud
5.1A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
4
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
5 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Höhe
1.5mm
Testovací proud
1mA
Länge
5mm
Breite
4mm
Maximální závěrný svodový proud
20µA
P.O.A.
Štandardný
1
P.O.A.
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemtechTyp směru
Bi-Directional
Diodová konfigurace
Isolated
Maximální svorkové napětí
11V
Minimální poruchové napětí
6V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Maximální závěrné přechodné napětí
5V
Počet kolíků
8
Špičkový pulzní ztrátový výkon
300W
Maximální špičkový pulzní proud
5.1A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
4
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
5 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Höhe
1.5mm
Testovací proud
1mA
Länge
5mm
Breite
4mm
Maximální závěrný svodový proud
20µA