řada: STripFET IIMOSFET STD25NF10LT4 N-kanálový 25 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
STripFET II
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
6.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 5 V
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,76
€ 2,352 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 11,76
€ 2,352 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,352 | € 11,76 |
| 10 - 20 | € 1,994 | € 9,97 |
| 25 - 95 | € 1,924 | € 9,62 |
| 100 - 495 | € 1,536 | € 7,68 |
| 500+ | € 1,406 | € 7,03 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
STripFET II
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
6.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 5 V
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products