Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,95
€ 2,975 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 5,95
€ 2,975 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,975 | € 5,95 |
10 - 98 | € 2,895 | € 5,79 |
100 - 498 | € 2,82 | € 5,64 |
500+ | € 2,75 | € 5,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
16.4mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101