řada: STripFETMOSFET STW75NF20 N-kanálový 75 A 200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.15mm
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 84,13
€ 2,804 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 84,13
€ 2,804 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,804 | € 84,13 |
| 60 - 120 | € 2,732 | € 81,97 |
| 150+ | € 2,664 | € 79,93 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.15mm
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products