Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 19,04
€ 1,904 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 19,04
€ 1,904 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
10 - 95 | € 1,904 | € 9,52 |
100 - 245 | € 1,478 | € 7,39 |
250 - 495 | € 1,444 | € 7,22 |
500+ | € 1,256 | € 6,28 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.