Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
79 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,8 nC při 4,5 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
79 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,8 nC při 4,5 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Podrobnosti o výrobku