řada: NexFETMOSFET CSD17307Q5A N-kanálový 73 A 30 V, VSONP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
73 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,18
€ 0,618 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 6,18
€ 0,618 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
73 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products