Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
118 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
192 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 4,5 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Řada
NexFET
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
118 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
192 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 4,5 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.51mm
Řada
NexFET
Podrobnosti o výrobku