řada: NexFETMOSFET CSD19534KCS N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 145-1334Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD19534KCS
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Texas Instruments

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

NexFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

118 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.7mm

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

17,1 nC při 0 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD19534KCS N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

50

Dostupné v násobkoch 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD19534KCS N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

50

Dostupné v násobkoch 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Texas Instruments

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

NexFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

118 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.7mm

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

17,1 nC při 0 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more