Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
118 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,1 nC při 0 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
118 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,1 nC při 0 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
16.51mm
Podrobnosti o výrobku