Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-150 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V
Gehäusegröße
TO-236MOD (SC-59)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Minimální proudový zisk DC
70
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
80 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Malé signální tranzistory PNP Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,055
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,055
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,055 | € 2,74 |
500 - 950 | € 0,042 | € 2,08 |
1000 - 1950 | € 0,041 | € 2,04 |
2000 - 3950 | € 0,04 | € 1,98 |
4000+ | € 0,039 | € 1,95 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-150 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V
Gehäusegröße
TO-236MOD (SC-59)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Minimální proudový zisk DC
70
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
80 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku