Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
0.3 to 0.75mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
10 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-50V
Konfiguration
Jednoduché
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-346
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
2.9mm
Podrobnosti o výrobku
N-channel JFET Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,302
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 0,302
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,302 | € 3,02 |
100 - 190 | € 0,203 | € 2,03 |
200 - 390 | € 0,184 | € 1,84 |
400+ | € 0,18 | € 1,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
0.3 to 0.75mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
10 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-50V
Konfiguration
Jednoduché
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-346
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
2.9mm
Podrobnosti o výrobku
N-channel JFET Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.