Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
PW Mold2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
2.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
5.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
2SK
Gehäusegröße
PW Mold2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
2.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
5.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku