řada: DTMOSIVMOSFET TK11P65W,RQ(S N-kanálový 11,1 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
DTMOSIV
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
440 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
6.1mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,55
€ 1,31 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 6,55
€ 1,31 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,31 | € 6,55 |
| 25 - 45 | € 1,18 | € 5,90 |
| 50 - 245 | € 1,136 | € 5,68 |
| 250 - 495 | € 1,088 | € 5,44 |
| 500+ | € 1,06 | € 5,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
DTMOSIV
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
440 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
100 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
6.1mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products