řada: DTMOSIVMOSFET TK31E60X,S1X(S N-kanálový 30,8 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
DTMOSIV
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Breite
4.45mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,99
€ 3,495 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 6,99
€ 3,495 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,495 | € 6,99 |
| 10 - 18 | € 2,555 | € 5,11 |
| 20 - 48 | € 2,495 | € 4,99 |
| 50 - 98 | € 2,42 | € 4,84 |
| 100+ | € 2,375 | € 4,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
DTMOSIV
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Breite
4.45mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products