řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK56E12N1,S1X(S N-kanálový 112 A 120 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

Skladové číslo RS: 125-0578Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK56E12N1,S1X(S
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

112 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

120 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

168 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.45mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

69 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Řada

U-MOSVIII-H

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK56E12N1,S1X(S N-kanálový 112 A 120 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

10

Dostupné v násobkoch 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK56E12N1,S1X(S N-kanálový 112 A 120 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

10

Dostupné v násobkoch 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

112 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

120 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

168 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.45mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

69 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Řada

U-MOSVIII-H

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more