Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayDiodová konfigurace
Single
Maximální propustný proud
250mA
Počet prvků na čip
1
Montage-Typ
Through Hole
Maximální závěrné napětí
200V
Gehäusegröße
DO-35
Diodová technologie
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1V
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
3.9mm
Breite
1.7mm
Höhe
1.7mm
Abmessungen
3.9 x 1.7 x 1.7mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
200
P.O.A.
200
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayDiodová konfigurace
Single
Maximální propustný proud
250mA
Počet prvků na čip
1
Montage-Typ
Through Hole
Maximální závěrné napětí
200V
Gehäusegröße
DO-35
Diodová technologie
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1V
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
3.9mm
Breite
1.7mm
Höhe
1.7mm
Abmessungen
3.9 x 1.7 x 1.7mm