MOSFET SI1922EDH-T1-GE3 N-kanálový 1,3 A 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
263 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,6 nC při 8 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,312
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 0,312
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,312 | € 15,60 |
| 500 - 1200 | € 0,231 | € 11,54 |
| 1250 - 2450 | € 0,193 | € 9,67 |
| 2500 - 4950 | € 0,172 | € 8,58 |
| 5000+ | € 0,156 | € 7,81 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
263 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,6 nC při 8 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products