MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 N-kanálový 18 A 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 787-9235PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4190ADY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

6 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

44,4 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,542

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 N-kanálový 18 A 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 1,542

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 N-kanálový 18 A 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,2 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

6 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

44,4 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more