Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,43
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,43
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku